Не секрет, що Samsung Electronics навмисно не стала створювати мікросхеми флеш-пам'яті з архітектурою QLC NAND (зберігають чотири розряди даних в одному осередку) в рамках покоління 64-шарової пам'яті V-NAND. Однак у випадку з 96-шаровою V-NAND компанія змінить свій підхід і стане пропонувати SSD на основі мікросхем з архітектурою QLC для серверів і ПК. На форумі SSD Forum в Японії компанія розкрила перші подробиці про своїх майбутніх QLC-накопичувачів.
Ключовою перевагою флеш-пам'яті 3D QLC NAND в порівнянні з 3D TLC NAND є на 33% велика щільність зберігання даних, і, отже, більш низька вартість зберігання даних (за умови приблизно однакового рівня виходу придатних мікросхем). Як наслідок, першими накопичувачами на базі 3D QLC V-NAND виробництва Samsung стануть моделі великої ємності для клієнтів, яким потрібно зберігати істотні обсяги даних і які більш зацікавлені у збільшенні щільності зберігання, ніж у максимально можливій продуктивності.
Ще одним сімейством продуктів Samsung на базі флеш-пам'яті 3D QLC V-NAND будуть твердотільні накопичувачі ємністю більше 1 Тбайт для клієнтських ПК. Дані SSD будуть використовувати інтерфейс SATA і будуть забезпечувати послідовну швидкість читання і записи близько 520 Мбайт/с (при використанні SLC-кешування), що відповідає сьогоднішнім недорогим твердотільним накопичувачам. Samsung не розкриває, коли подібні пристрої стануть доступні, але компанія заявила, що клієнтські SSD ємністю 1 Тбайт і більш перейдуть в розряд широко поширених десь в 2020 році в основному через появу QLC 3D NAND флеш-пам'яті.
Водночас Samsung не очікує, що QLC NAND найближчим часом замінить TLC NAND як основний тип флеш-пам'яті для SSD. QLC NAND вимагає більш дорогих контролерів зі значно вищою продуктивністю, щоб гарантувати належну зносостійкість. Таким чином, перевага відносно недорогої (в перерахунку на Гбайт/$) пам'яті можуть бути нівельовані в клієнтських SSD вартістю контролерів.
