Вчені з США запропонували технологію створення транзисторів з потенційно кращими характеристиками, ніж у актуальних рішень. Це може забезпечити зростання продуктивності процесорів навіть в епоху «кінця техпроцесів». Ідею такого транзистора підглянули у квантово-каскадних лазерів і вже подали заявку на патент.
У 1971 році в журналі «Фізика і техніка напівпровідників» радянські фізики Казарінов і Суріс у статті «Можливості посилення електромагнітних хвиль у напівпровідниках з надгратами» висловили ідею, що при проході потоку електронів крізь гетерогенну структуру відбувається посилення електромагнітних хвиль, що дозволить генерувати лази У такому «шарі» відбувається посилення сигналу без прояву тунельних ефектів, що простіше піддається управлінню.
Група вчених з Університету Перд'ю в штаті Індіана припустила, що посилювальний принцип перенесення електронів через надрішітку також буде працювати стосовно транзисторів, якщо надрешітку - «зебру» з напівпровідникових матеріалів - помістити на шляху руху потоку електронів від одного затвора до іншого. Так народилася концепція каскадного польового транзистора CasFET.
Теоретично, транзистор CasFET буде працювати з гранично малими струмами перемикань стану, що значно підвищить енергоефективність приладу. Правда, вчені поки не зробили жодного такого транзистора, щоб вивчити його характеристики на практиці. Натомість заявка на патент вже подана, а зацікавлені виробники можуть звертатися за консультаціями.
