Компанія Samsung планує значно розширити сферу застосування пам'яті MRAM. Про це, як повідомляють мережеві джерела, заявили представники підрозділу Samsung Foundry в рамках заходу Semicon Korea.
Пам'ять MRAM, або Magnetoresistive Random Access Memory, - це магніторезистивна пам'ять з довільним доступом. Інформація в MRAM зберігається за допомогою магнітних моментів, а не електричних зарядів.
Вироби MRAM є енергонезалежними, тобто можуть зберігати дані без подачі живлення. Магніторезистивний ефект, що лежить в основі технології, передбачає високу масштабованість і забезпечує чудові технічні характеристики.
Навесні 2019 року компанія Samsung організувала масове виробництво вбудованої магніторезистивної пам'яті eMRAM на базі 28-нм технологічного процесу FD-SOI (повністю збіднений кремній на ізоляторі). Порівняно зі вбудовуваними флеш-чіпами рішення eMRAM мають вищу енергоефективність і приблизно в 1000 разів вищу швидкість запису (eMRAM не вимагає циклу стирання перед записом даних).
Раніше говорилося, що пам'ять eMRAM орієнтована на сфери Інтернету речей і штучного інтелекту. Тепер у Samsung заявляють про намір використовувати пам'ять MRAM у багатьох інших областях. Серед них названі носимі пристрої, автомобільна електроніка, графічна пам'ять, низькорівневий кеш тощо.
