У середу в кампусі Giheung компанії Samsung відбулася урочиста церемонія, присвячена першим масовим постачанням продуктів з вбудованою пам'яттю eMRAM (магніторезистивною RAM). Що це за продукти і який обсяг eMRAM у складі чіпів, у Samsung не повідомили. З того, що заявлено ― це використання техпроцесу з нормами 28 нм на пластинах FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator). Такі пластини являють собою дуже тонкий шар повністю збідненого кремнію на ізоляторі. За рахунок подібної конструкції сильно знижуються паразитні струми витоку і зростає енергоефективність.
Судячи з усього, Samsung використовує у виробництві блоки eMRAM по 256 Мбіт або 512 Мбіт. Блоки eMRAM ємністю 1 Гбіт компанія буде випускати не раніше, ніж у другій половині поточного року. У прес-релізі вона уточнює, що пізніше цього року будуть готові тільки цифрові проекти 1-Гбіт eMRAM. Після цього до початку провадження має пройти ще близько трьох місяців. Тим самим Samsung стала четвертим виробником чіпів, який здатний випускати контролери, процесори і SoC з пам'яттю eMRAM замість eNAND. Інші три ― це NXP Semiconductors, GlobalFoundries і Intel.
Важливою особливістю технологічного процесу при виробництві eMRAM Samsung можна визнати те, що блок пам'яті додається в чіп на етапі складання, пакування і тестування. Це означає, що блок eMRAM випускається окремо з використанням всього трьох фотомасок і може бути доданий до чіпа незалежно від техпроцесу, за допомогою якого той випущений і без прив'язки до планарних або FinFET-транзисторів. Взагалі без будь-якої прив'язки до базового рішення. Тим самим блок eMRAM Samsung можна адаптувати під вже готові і давно запущені в масове виробництво рішення, істотно модернізувавши актуальні розробки.
Ще раз повторимо, Samsung не дає точного опису приладів з eMRAM, які вона запустила в масове виробництво. Уточнені дані ми дізнаємося трохи пізніше, і все розповімо на наших сторінках. Поки заявлено, що швидкість роботи eMRAM в 1000 разів більше eNAND (eFlash). У демонстраційному ролику вище компанія показує, що швидкості читання з eMRAM і SRAM однакові. Споживання в режимі запису пам'яті eMRAM становить всього 1/400 від споживання при запису eNAND, а стійкість до зносу на кілька порядків вище. Також слід очікувати, про що Samsung не говорить в прес-релізі, що її пам'ять eMRAM відноситься, швидше за все, до типу STT-MRAM із записом з перенесенням моменту спину електрона. Власне, про це говорять енергетичні показники в режимі запису. Дуже економна, енергонезалежна і швидка пам'ять.
