Intel підтвердила характеристики настільних процесорів Kaby Lake-S
Корпорація Intel готується почати продажі процесорів сімейства Kaby Lake для настільних ПК лише наприкінці цього - початку наступного року. Однак підготовка до комерційного випуску процесорів йде повним ходом, і компанія змушена розкривати деякі подробиці про новинки своїм партнерам. Так, днями Intel поставила партнерів до відома, що процесори Core i сьомого покоління будуть збиратися в тому числі на фабриках у В'єтнамі. Як наслідок, компанії довелося розкрити їх найменування, частину характеристик і дату початку поставок.
Згідно з неофіційною інформацією, продажі чотириядерних процесорів Core i7 і Core i5 сімейства Kaby Lake-S для настільних ПК кінцевим користувачам почнуться в період з 50-го тижня поточного року по 2-й тиждень наступного, тобто в проміжку між 12 грудня і 15 січня. При цьому, як випливає з випущеного Intel документа, клієнти компанії повинні бути готові до отримання нових процесорів вже 4 листопада цього року. Що стосується двоядерних процесорів Core i3 покоління Kaby Lake-S, то вони з'являться у продажу в період з 6 лютого по 7 травня 2017 року.
Що стосується офіційної дати анонсу Kaby Lake-S і початку продажів, то навряд чи існує великий сенс представляти нову платформу в четвертому кварталі в принципі, оскільки багато партнерів Intel в цей період намагаються позбутися складських запасів, а поява нових CPU неминуче знижує попит на старі. Як наслідок, є велика ймовірність, що офіційно процесори Kaby Lake для настільних ПК будуть представлені під час виставки CES 2017 на початку січня наступного року.
Процесори Intel Kaby Lake базуються на поліпшеній мікроархітектурі Skylake і мають у своєму складі вдосконалений блок кодування/декодування відео. Завдяки оновленій мікроархітектурі, підвищеним тактовим частотам, технології Speed Shift v2 та іншим поліпшенням новинки будуть володіти більш високою продуктивністю в порівнянні з попередниками. Intel Kaby Lake виробляються з використанням вдосконаленого технологічного процесу з шириною транзисторного затвору 14 нм.